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Special Project

第110回研究会・特別公開シンポジウム

『紫外発光デバイスの最前線と将来展望』

主催:日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会
協賛:GaN研究コンソーシアム, 公益社団法人 応用物理学会 結晶工学分科会・応用電子物性分科会

開催日時: 平成30年9月27日(木)~28日(金)


場所: 東京大学 駒場Ⅱキャンパス生産技術研究所 コンベンションホール
(〒153-8505 東京都目黒区駒場4-6-1)

参加申込み: 締め切りました
※学振162委員会委員の参加申込は、学振事務局からメールでご案内します。

ポスター講演申込み: 締め切りました
※申込期限:9/1(土)
         

特別公開シンポジウムプログラム
9月27日(木)  
チュートリアル講演 (13:00~17:00)
 
『深紫外LEDの課題、進展と将来展望』 平山秀樹(理研)
『AlNテンプレート高品質化の進展』 三宅秀人(三重大学)
『AlN、AlGaN薄膜および量子井戸の発光特性』 秩父重英(東北大学)
『波長変換による全固体紫外レーザー光源の進展とその応用』 森 勇介(大阪大学)
ポスター発表会・意見交換会(17:30~20:30)
9月28日(金)  
レビュー講演 (9:00~14:20)  
『AlGaNドーピング技術と紫外レーザの進展』 岩谷素顕(名城大学)
『深紫外LEDのためのHVPEバルクAlN基板の進展』 永島 徹(トクヤマ)
『直接接合を用いた深紫外線LEDの光取り出しの改善』 市川将嗣(日亜化学工業)
『UVA-UVC LEDの進展と応用展開(仮題)』 村本宜彦(ナイトライドセミコンダクター)
『バルクAlN基板上深紫外LEDの進展と応用展開』 久世直洋(旭化成)
『Current Status and Future Works of High Power Deep-UV LEDs』 Oh Jeong-Tak(LG Innotek)
パネル討論 (14:30~15:30)
閉会  

開催ご案内(ポスター) ダウンロード

シンポジウム参加費  
学振162委員会委員(産業界委員同伴者含む):無料

学生:無料
※1
一般:18,000円※2
※1 学生の方は、参加費がナイトライド基金からサポートされます

※2 40歳未満の研究者で参加費援助の希望者は、IWUMD2017からサポートされ無料になります


意見交換会参加費
 3,000円


謝辞:学生の参加費はナイトライド基金からのサポートを受けています。また、若手研究者の参加費の援助をIWUMD2017から受けています。記して感謝の意を表します。

世話人:平山 秀樹(理化学研究所, 企画主査), 岩谷 素顕(名城大学, 特別事業幹事)

バナースペース

ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会幹事のページ
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