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Special Project

第100回研究会 記念シンポジウム・祝賀会

『ワイドギャップ半導体が拓く高度環境・情報化社会』

主催:学振ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会
協賛:公益社団法人 応用物理学会、 学振 第125, 131, 154, 161委員会


開催日時: 平成28年10月28日(金)12:40~
(12:00受付開始)

場所: 東京大学駒場Ⅱキャンパス 生産技術研究所 コンベンションホール
(〒153-8904 東京都目黒区駒場4丁目6番1号)


参加申込み: 参加受付を終了しました

記念シンポジウム・祝賀会 プログラム
開式 (12:40~13:00)  
『開会あいさつ』 岸野克巳(上智大学, 学振162委員会委員長)
『学振第162委員会の設立-その時代背景-』 高橋 清(学振162委員会元委員長)
特別講演 (13:00~15:00)  
『情報通信技術文明を拓いた光通信の発展』 末松安晴(日本学術振興会・産学協力総合連絡会議議長)
『酸化物半導体:物質と応用のフロンティア』 細野秀雄(東京工業大学)
『社会が期待する窒化物半導体光・電子デバイス』 天野 浩(名古屋大学)
招待講演 (15:30~17:30)  
『InGaN半導体レーザの現状と今後の課題』 長濱慎一(日亜化学工業)
『最新の環境対応車両用パワーエレクトロニクス技術と将来に向けたワイドバンドギャップ半導体の重要性』 濱田公守(トヨタ自動車)
『戦略的イノベーション創造プログラム(SIP)「次世代パワーエレクトロニクス」の取り組み』 大森達夫(内閣府)
   
祝賀会・意見交換会 18:00~20:00

開催ご案内(ポスター) ダウンロード


シンポジウム参加費  無料

祝賀会・意見交換会参加費

 講演者・招待者:無料
 学振162委員会委員:3,000円
 他の参加者:8,000円

バナースペース

ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会幹事のページ
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