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Special Project

第100回記念特別公開シンポジウム

『ワイドギャップ半導体の基盤技術と将来展望』~パワー半導体を中心として~

主催:日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会
協賛:GaN研究コンソーシアム, 公益社団法人 応用物理学会 結晶工学分科会・応用電子物性分科会・先進パワー半導体分科会

開催日時: 平成29年10月26日(木)~27日(金)


場所: ロワジールホテル豊橋
(〒441-8061 愛知県豊橋市藤沢町141)


参加申込み: 受付を終了しました。

ポスター講演申込み: 予稿テンプレート(100th_template.docx)をダウンロードし、下記講演申し込みボタンから申し込み下さい。
※申込期限:9/30(土) (受付を終了しました。)
 

記念シンポジウム・祝賀会 プログラムダウンロード
ポスタープログラムダウンロード
10月26日(木)  
開会 (13:00 – 13:10)
チュートリアル講演1 (13:10~14:50)
パワーデバイスの基礎と評価技術
 
『パワーデバイスの動作原理』 岩室 憲幸(筑波大学)
『パワーデバイス計測および信頼性評価技術』 高橋 良和(富士電機)
チュートリアル講演2 (15:20~17:00)
ワイドギャップ半導体パワーデバイスの基礎
 
『SiCパワーデバイスの基礎』 木本 恒暢(京都大学)
『GaNパワーデバイスの基礎』 加地 徹 (名古屋大学)
ポスター発表会・意見交換会(17:30~20:30)
ナイトセッション(フリーディスカッション)
(21:00~23:30)
10月27日(金)  
レビュー講演1 (9:00~10:20)
ワイドギャップ半導体パワーデバイスの最先端1
 
『GaN/Siパワーデバイスの最先端』 石田 秀俊(パナソニック)
『GaN/GaNパワーデバイスの最先端』 岡 徹 (豊田合成)
レビュー講演2 (10:40~12:00)
ワイドギャップ半導体パワーデバイスの最先端2
 
『SiCパワーデバイスの最先端』 山川 聡(三菱電機)
『酸化ガリウムパワーデバイスの最先端』 東脇 正高(情報通信研究機構)
レビュー講演3 (13:00~14:20)
ワイドギャップ半導体パワーデバイスの応用展開
 
『SiCパワーデバイスの車載応用』 鶴田 和弘(デンソー)
『GaNデバイスを用いた超小型ACアダプタ』 廣瀬 達哉(富士通))
パネル討論 (14:30~15:30)
閉会  

開催ご案内(ポスター) ダウンロード

シンポジウム参加費  
学振162委員会委員(産業界委員同伴者含む):17,000円

一般:28,000円
学生:17,000円
※1
※1 ポスター発表を行う学生は、参加費がナイトライド基金からサポートされます

意見交換会参加費
 2,000円

宿泊費(朝食代含む)※2
 8,000円
※2
宿泊を含む2日間の参加をお願いします。会員・一般の方はシングルでの宿泊を予定しています。学生は相部屋の可能性があります。

謝辞:本事業に対して学振の特別事業支援制度のサポートを受けています。また、ポスター発表を行う学生の参加費はナイトライド基金からのサポートを受けています。記して感謝の意を表します。

世話人:木本 恒暢(京都大学, 企画主査), 岩谷 素顕(名城大学, 特別事業幹事)

バナースペース

ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会幹事のページ
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